铠侠和闪迪对 HBF 计划持不同看法

当前围绕高带宽闪存（HBF，High Bandwidth Flash）的产业布局中，同为 NAND 闪存制造合资伙伴的铠侠与闪迪站位并不相同闪迪选择积极投入由 SK 海力士主导的 HBF 计划，联合推进标准化、完成首款 HBF 存储芯片流片，并计划在 2027 年向客户交付样品；铠侠则至今未加入该联盟，整体保持中立观察，没有直接跟随 TSV（硅通孔）并行堆叠路线，而是沿自己的高性能 SSD、XL-FLASH 存储级内存和 CXL 高速闪存模块方向布局 AI 推理存储。双方差异的核心不是是否看好 AI 推理存储扩容这一大方向，而是在技术架构、产品形态和落地节奏上选择了不同路径闪迪与 SK 海力士希望把 NAND 做成接近 HBM 形态、紧贴加速器的并行堆叠高带宽层，铠侠更倾向用成熟的闪存加 SSD 控制器加高速互连（含 CXL）方式，把高性能、大容量闪存作为内存和 GPU 之外的扩展层级稳步推进。作为全球重要的 NAND 产能合作方，两家企业一方面在先进 BiCS 闪存研发和量产上持续协作，另一方面在下一代 AI 存储标准的卡位上呈现出路线分工，整个行业也因此形成了多条技术路线并行验证的格局。

一、深度解析

先看清 HBF 到底是什么定位

HBF 可以理解为介于 HBM 和 SSD 之间的一层新型闪存它把多颗经过专门设计的 NAND 闪存裸片垂直堆叠，通过 TSV 硅通孔和微凸块（micro bump）并行连接到底部逻辑芯片与中介层，再以宽接口并行对接 GPU、CPU 或 ASIC 等算力芯片，让大容量 NAND 以更高带宽、更短距离为 AI 推理服务。首版公开规范围绕 8 层堆叠（8-Hi）和 16 层堆叠（16-Hi）设计，单堆最高容量可达 512GB，带宽按档位分布在约 0.4 至 3.0TB/s 区间，并涉及 UCIe 互连、封装可靠性与读写软件指南等。它瞄准的主要场景是 AI 推理阶段的模型权重加载、长上下文与 KV 缓存扩容等需求，本质上是给容量昂贵、偏热的 HBM 做容量侧补充，与 HBM 形成搭配关系，而不是直接替代 HBM 负责训练的高速热缓存。

闪迪的立场深度绑定标准联盟与产品节奏

表格

闪迪本身不持有独立的 NAND 晶圆厂，先进产能主要来自与铠侠的合资制造体系，因此围绕新一代封装型 HBF 推进标准合作，既是产品选择，也是对未来制造与合作边界的提前安排。

3、铠侠的立场自有高性能存储路线并行推进

铠侠没有加入 HBF 联盟，其公开技术愿景主要由三条产品线支撑

第一条是近 GPU 负载的超高 IOPS SSD，代表为 GP 系列，采用自研低延迟的 XL-FLASH 存储级闪存技术，主打千万级随机读取 IOPS、低访问延迟和近算力部署，目标填补 DRAM 与普通 NAND 之间的性能空档，用于推理中的高频读写和缓存类任务。

第二条是面向数据中心的高性能液冷 SSD，包括 E1.S 等规格的 NX1 系列以及液冷版 PCIe 5 代数据中心 SSD，在现有 NVMe 和 PCIe 成熟生态内通过多平面、高接口速率和能效优化服务 AI 基础设施，便于客户平滑替换和规模部署。

第三条是基于 CXL（Compute Express Link）的大容量高速闪存扩展模块思路，用高速控制器把多颗闪存按串行、菊花链等方式组织成大容量内存扩展层，以高速互连降低读取延迟、扩展系统可访问容量，面向边缘服务器和推理节点的大容量需求。

在架构取向上，两条路线的区别比较清楚闪迪、SK 海力士的 HBF 偏向芯片级垂直堆叠加并行 TSV 直连，追求封装内高带宽；铠侠更偏向模块级控制器扩展加串行高速信号、复用成熟 SSD 和 CXL 生态，强调工艺可复用、系统集成灵活和落地确定性。

4、两家选择不同的现实原因

从商业模式看，闪迪聚焦前端 NAND 技术与系统级产品，缺少独立大规模晶圆制造资产，参与新封装标准和联盟协作有利于绑定产业链位置；铠侠则拥有覆盖先进 BiCS NAND、SSD 主控产品和数据中心方案的完整组合，更倾向于让新技术建立在现有工艺和客户验证基础之上。

从技术成熟度看，HBF 需要为 TSV 和堆叠重新设计 NAND 芯片，涉及通孔布局占用、良率、堆叠散热、闪存耐久度和成本控制等环节，行业仍处于规范与样品验证阶段；铠侠主推的 SSD 与 CXL 路线建立在现有量产经验之上，迭代风险相对可控。

从生态约束看，HBF 最终需要加速器、板卡、控制器和操作系统协同适配；而 NVMe SSD、CXL 内存扩展已有较为成熟的设备、软件和运维体系，客户采用路径更短。值得补充的是，SK 海力士与铠侠之间存在可转债等间接投资关系，铠侠部分 SSD 也采用来自外部的 DRAM 芯片，产业层面的交叉合作与企业自身在存储架构标准上的独立选型并不矛盾，不能简单用资本关系推断技术立场。

二、相关延伸

把视野放大到 AI 数据中心，存储正在形成清晰的多层分工靠近算力的 HBM 负责最高频、最低延迟的数据流转；HBF 如果落地，承担大容量模型数据和缓存的高带宽读取补充；CXL 内存扩展与高性能、超高 IOPS SSD 负责容量、持久性和性价比分层；普通大容量 QLC/TLC NAND 则继续承担冷数据和长期存储。铠侠与闪迪在 HBF 计划上的不同态度，恰好反映了这一格局尚未定型、多条路线同时探索的阶段特征，三星、美光等存储厂商也都在从各自优势出发布局类似产品。

从时间节奏看，行业普遍预期 2026 年以流片和原型验证为主，2027 年进入客户样品和早期推理设备试用，2027 年之后才可能逐步讨论规模商用与成本优化。标准能否被广泛采用，取决于真实推理负载下的带宽、延迟、耐久、散热、良率成本，以及能否与主流加速器和软件栈良好配合，样品阶段披露的目标参数不等于量产阶段的最终表现。

对产业链而言，AI 推理需求正在推动 NAND 从单纯比拼容量转向容量、带宽、延迟和能效的综合竞争，先进闪存堆叠封装、高速接口、主控算法、液冷散热和存储级内存技术都将受益。与此同时，铠侠与闪迪在第十代 BiCS、QLC 高密闪存等底层制造层面仍保持联合研发和量产协作，路线有别的同时也在共享基础工艺成果。总体来看，这轮 HBF 计划上的站位差异属于行业技术路线的正常探索闪迪主动押注新一代标准化堆叠形态，铠侠以务实产品路线稳健跟进 AI 存储升级，后续哪条路线在商用场景中胜出，还需要结合样品实测、客户采用和标准扩散程度持续观察。

【数据来源】

[2026-11-05]（HBF，出现分歧闪迪支持 SK 海力士主导高带宽闪存计划铠侠保持中立并采取另一种架构立场）腾讯新闻・半导体行业观察

[2026-11-05]（SK 海力士以 HBF 推动 NAND 布局并与闪迪推进两年内商用化节奏）Business Post

[2026-11-04]（SK 海力士与闪迪推出首个 HBF 标准谷歌加入生态规格仍待真实硬件验证）remio.ai

[2026-10-30]（闪迪 CEO 称首款高带宽闪存 HBF 已完成流片预计明年向客户交付首批样品）新浪财经转财联社

[2026-10-30]（AI 推理需求带动 NAND 出货闪迪披露 HBF 存储晶粒完成流片进入制造阶段）搜狐网

[2026-10-29]（AI 内存墙倒逼存储层级重构 HBF 以数倍于 HBM 的容量切入推理市场）新浪财经

【免责声明】

本文基于公开报道和企业公开信息整理，HBF 相关堆叠层数、容量、带宽目标、送样与量产时间均以 OCP 正式规范、企业最终发布的量产产品和客户实测结果为准；文中对铠侠、闪迪技术路线的描述用于客观说明行业格局，不构成投资建议，亦不代表对某一厂商产品竞争力的评价。存储技术演进和企业合作关系可能随市场与产品验证进展调整，具体决策请以官方最新公告和权威行业分析为准。